FQPF9P25YDTU - MOSFET P-CH 250V 6A

Référence fabricant

FQPF9P25YDTU

Numéro de pièce interne

ABC-FQPF9P25YDTU

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 250V 6A

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

642341 Pieces

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Spécifications pour FQPF9P25YDTU

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FQPF9P25YDTU

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 250V 6A

Séries : QFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 250V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 620 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1180pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 50W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220F-3 (Y-Forming)

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FQPF , FQPF9P

Documents pour FQPF9P25YDTU

Feuilles de données : FQPF9P25YDTU.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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