IS43LD32640B-18BLI-TR - IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Référence fabricant

IS43LD32640B-18BLI-TR

Numéro de pièce interne

ABC-IS43LD32640B-18BLI-TR

Fabricant

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Brève description

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

84480 Pieces

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Spécifications pour IS43LD32640B-18BLI-TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IS43LD32640B-18BLI-TR

Fabricant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

La description : IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

Taille mémoire : 2Gb (64M x 32)

Fréquence d'horloge : 533MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns

Temps d'accès : -

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 1.14V ~ 1.95V

Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TC)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 134-TFBGA

Package d'appareils du fournisseur : 134-TFBGA (10x11.5)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IS43LD3 , IS43LD3264

Documents pour IS43LD32640B-18BLI-TR

Feuilles de données : IS43LD32640B-18BLI-TR.pdf

Produits associés pour IS43LD32640B-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Numéro d'article	Marque	La description
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WF135285WP50233BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV SCREW.
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WF135272WL60236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 16KV SCREW.
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