PHU101NQ03LT,127 - MOSFET N-CH 30V 75A SOT533

Référence fabricant

PHU101NQ03LT,127

Numéro de pièce interne

ABC-PHU101NQ03LT,127

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 30V 75A SOT533

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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45162 Pieces

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Spécifications pour PHU101NQ03LT,127

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PHU101NQ03LT,127

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 30V 75A SOT533

Séries : TrenchMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 75A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2180pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 166W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I-PAK

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PHU10 , PHU101NQ

Documents pour PHU101NQ03LT,127

Feuilles de données : PHU101NQ03LT,127.pdf

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