SI6562CDQ-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

Référence fabricant

SI6562CDQ-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SI6562CDQ-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI6562CDQ-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI6562CDQ-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N and P-Channel

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.7A, 6.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 10V

Puissance - Max : 1.6W, 1.7W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-TSSOP

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI656 , SI6562CD

Documents pour SI6562CDQ-T1-GE3

Feuilles de données : SI6562CDQ-T1-GE3.pdf

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