RS1E200GNTB - MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Référence fabricant

RS1E200GNTB

Numéro de pièce interne

ABC-RS1E200GNTB

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour RS1E200GNTB

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RS1E200GNTB

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1080pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3W (Ta), 25.1W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-HSOP

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RS1 , RS1E2

Documents pour RS1E200GNTB

Feuilles de données : RS1E200GNTB.pdf

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