F1T3GHA1G - DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1

Référence fabricant

F1T3GHA1G

Numéro de pièce interne

ABC-F1T3GHA1G

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

14262528 Pieces

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Spécifications pour F1T3GHA1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : F1T3GHA1G

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.3V @ 1A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 150ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 200V

Capacité @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : T-18, Axial

Package d'appareils du fournisseur : TS-1

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : F1T , F1T3

Documents pour F1T3GHA1G

Feuilles de données : F1T3GHA1G.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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