APTM100A13DG - MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Référence fabricant

APTM100A13DG

Numéro de pièce interne

ABC-APTM100A13DG

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

30090 Pieces

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Spécifications pour APTM100A13DG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APTM100A13DG

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 1000V (1kV)

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 65A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 6mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 562nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 15200pF @ 25V

Puissance - Max : 1250W

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : SP6

Package d'appareils du fournisseur : SP6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APTM , APTM10

Documents pour APTM100A13DG

Feuilles de données : APTM100A13DG.pdf

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