EPC2012 - GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Référence fabricant

EPC2012

Numéro de pièce interne

ABC-EPC2012

Fabricant

EPC

Brève description

GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

40288 Pieces

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Spécifications pour EPC2012

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : EPC2012

Fabricant : EPC

La description : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Séries : eGaN®

Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key

Type de FET : N-Channel

La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 5V

Vgs (Max) : +6V, -5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 145pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : -

Température de fonctionnement : -40°C ~ 125°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : Die

Paquet / caisse : Die

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : EP , EPC

Documents pour EPC2012

Feuilles de données : EPC2012.pdf

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