RD3S075CNTL1 - NCH 190V 7.5A POWER MOSFET

Référence fabricant

RD3S075CNTL1

Numéro de pièce interne

ABC-RD3S075CNTL1

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

NCH 190V 7.5A POWER MOSFET

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour RD3S075CNTL1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RD3S075CNTL1

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : NCH 190V 7.5A POWER MOSFET

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 190V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 336 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 52W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RD3S , RD3S07

Documents pour RD3S075CNTL1

Feuilles de données : RD3S075CNTL1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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