PTFA191001EV4XWSA1 - IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2

Référence fabricant

PTFA191001EV4XWSA1

Numéro de pièce interne

ABC-PTFA191001EV4XWSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour PTFA191001EV4XWSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PTFA191001EV4XWSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de transistor : LDMOS

La fréquence : 1.96GHz

Gain : 17dB

Tension - Test : 30V

Note actuelle : 10µA

Figure de bruit : -

Courant - Test : 900mA

Puissance - sortie : 44dBm

Tension - nominale : 65V

Paquet / caisse : 2-Flatpack, Fin Leads

Package d'appareils du fournisseur : H-36248-2

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PTFA19 , PTFA19100

Documents pour PTFA191001EV4XWSA1

Feuilles de données : PTFA191001EV4XWSA1.pdf

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