IGT60R070D1ATMA1 - IC GAN FET 600V 60A 8HSOF

Référence fabricant

IGT60R070D1ATMA1

Numéro de pièce interne

ABC-IGT60R070D1ATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

IC GAN FET 600V 60A 8HSOF

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IGT60R070D1ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IGT60R070D1ATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : IC GAN FET 600V 60A 8HSOF

Séries : CoolGaN™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 31A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 2.6mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 400V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 125W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-HSOF-8-3

Paquet / caisse : 8-PowerSFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IGT60 , IGT60R07

Documents pour IGT60R070D1ATMA1

Feuilles de données : IGT60R070D1ATMA1.pdf

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