DGD0590FU-7 - IC GATE DRV HALFBRD QFN3030-8 3K

Référence fabricant

DGD0590FU-7

Numéro de pièce interne

ABC-DGD0590FU-7

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

IC GATE DRV HALFBRD QFN3030-8 3K

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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2039443 Pieces

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Spécifications pour DGD0590FU-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DGD0590FU-7

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : IC GATE DRV HALFBRD QFN3030-8 3K

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Configuration pilotée : Half-Bridge

Type de canal : Independent

Nombre de conducteurs : 2

Type de porte : N-Channel MOSFET

Tension - Alimentation : 4.5V ~ 5.5V

Tension logique - VIL, VIH : 1V, 3.3V

Courant - sortie de crête (source, puits) : 1A, 3A

Type d'entrée : Non-Inverting

Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : 50V

Temps de montée / descente (type) : 27ns, 29ns

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-VQFN Exposed Pad

Package d'appareils du fournisseur : V-QFN3030-8

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DGD , DGD05

Documents pour DGD0590FU-7

Feuilles de données : DGD0590FU-7.pdf

Produits associés pour DGD0590FU-7 Diodes Incorporated

Numéro d'article	Marque	La description
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