IXFQ23N60Q - MOSFET N-CH 600V 23A TO-268D3

Référence fabricant

IXFQ23N60Q

Numéro de pièce interne

ABC-IXFQ23N60Q

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 600V 23A TO-268D3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IXFQ23N60Q

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXFQ23N60Q

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 600V 23A TO-268D3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 23A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : -

Température de fonctionnement : -

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-268

Paquet / caisse : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXF , IXFQ2

Documents pour IXFQ23N60Q

Feuilles de données : IXFQ23N60Q.pdf

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