DMN2023UCB4-7 - MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Référence fabricant

DMN2023UCB4-7

Numéro de pièce interne

ABC-DMN2023UCB4-7

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMN2023UCB4-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMN2023UCB4-7

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 24V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3333pF @ 10V

Puissance - Max : 1.45W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 4-XFBGA, WLBGA

Package d'appareils du fournisseur : X1-WLB1818-4

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMN2 , DMN202

Documents pour DMN2023UCB4-7

Feuilles de données : DMN2023UCB4-7.pdf

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