UPA2820T1S-E2-AT - MOSFET N-CH 30V 8HVSON

Référence fabricant

UPA2820T1S-E2-AT

Numéro de pièce interne

ABC-UPA2820T1S-E2-AT

Fabricant

Renesas Electronics America

Brève description

MOSFET N-CH 30V 8HVSON

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour UPA2820T1S-E2-AT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : UPA2820T1S-E2-AT

Fabricant : Renesas Electronics America

La description : MOSFET N-CH 30V 8HVSON

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 22A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.3 mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2330pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.5W (Ta), 16W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : -

Paquet / caisse : 8-PowerWDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : UPA28 , UPA2820T

Documents pour UPA2820T1S-E2-AT

Feuilles de données : UPA2820T1S-E2-AT.pdf

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