CMZ18(TE12L,Q,M) - X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V

Référence fabricant

CMZ18(TE12L,Q,M)

Numéro de pièce interne

ABC-CMZ18(TE12L,Q,M)

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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3380223 Pieces

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Spécifications pour CMZ18(TE12L,Q,M)

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CMZ18(TE12L,Q,M)

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Tension - Zener (Nom) (Vz) : 18V

Tolérance : ±10%

Puissance - Max : 2W

Impédance (Max) (Zzt) : 30 Ohms

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 13V

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.2V @ 200mA

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SOD-128

Package d'appareils du fournisseur : M-FLAT (2.4x3.8)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CMZ18 , CMZ18(TE

Documents pour CMZ18(TE12L,Q,M)

Feuilles de données : CMZ18(TE12L,Q,M).pdf

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