SQM40022EM_GE3 - MOSFET N-CHAN 40V

Référence fabricant

SQM40022EM_GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SQM40022EM_GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CHAN 40V

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

518315 Pieces

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Spécifications pour SQM40022EM_GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SQM40022EM_GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CHAN 40V

Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 40V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 150A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.63 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 9200pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 150W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-263-7

Paquet / caisse : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SQM4 , SQM4002

Documents pour SQM40022EM_GE3

Feuilles de données : SQM40022EM_GE3.pdf

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