SI4966DY-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Référence fabricant

SI4966DY-T1-E3

Numéro de pièce interne

ABC-SI4966DY-T1-E3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

52455 Pieces

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Spécifications pour SI4966DY-T1-E3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI4966DY-T1-E3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Puissance - Max : 2W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI49 , SI4966D

Documents pour SI4966DY-T1-E3

Feuilles de données : SI4966DY-T1-E3.pdf

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