IR2112SPBF - IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IR2112SPBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IR2112SPBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration pilotée : Half-Bridge
Type de canal : Independent
Nombre de conducteurs : 2
Type de porte : IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation : 10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH : 6V, 9.5V
Courant - sortie de crête (source, puits) : 250mA, 500mA
Type d'entrée : Non-Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : 600V
Temps de montée / descente (type) : 80ns, 40ns
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 16-SOIC
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IR2 , IR211

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