IDB18E120ATMA1 - DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3

Référence fabricant

IDB18E120ATMA1

Numéro de pièce interne

ABC-IDB18E120ATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

54432 Pieces

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Spécifications pour IDB18E120ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IDB18E120ATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 31A (DC)

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 2.15V @ 18A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 195ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 100µA @ 1200V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO263-3

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IDB1 , IDB18E1

Documents pour IDB18E120ATMA1

Feuilles de données : IDB18E120ATMA1.pdf

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