1N6481HE3/96 - DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Référence fabricant

1N6481HE3/96

Numéro de pièce interne

ABC-1N6481HE3/96

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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4655448 Pieces

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Spécifications pour 1N6481HE3/96

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 1N6481HE3/96

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Séries : SUPERECTIFIER®

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 400V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 1A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 400V

Capacité @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-213AB, MELF (Glass)

Package d'appareils du fournisseur : DO-213AB

Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 1N64 , 1N6481

Documents pour 1N6481HE3/96

Feuilles de données : 1N6481HE3/96.pdf

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