TSM10N80CZ C0G - MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Référence fabricant

TSM10N80CZ C0G

Numéro de pièce interne

ABC-TSM10N80CZ C0G

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour TSM10N80CZ C0G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TSM10N80CZ C0G

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 4.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2336pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 48W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TSM1 , TSM10N8

Documents pour TSM10N80CZ C0G

Feuilles de données : TSM10N80CZ C0G.pdf

Produits associés pour TSM10N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation

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