VS-10ETS08S-M3 - DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK

Référence fabricant

VS-10ETS08S-M3

Numéro de pièce interne

ABC-VS-10ETS08S-M3

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

759087 Pieces

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Spécifications pour VS-10ETS08S-M3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : VS-10ETS08S-M3

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 800V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 10A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 10A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 50µA @ 800V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareils du fournisseur : D2PAK

Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : VS-1 , VS-10ET

Documents pour VS-10ETS08S-M3

Feuilles de données : VS-10ETS08S-M3.pdf

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