SIB914DK-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Référence fabricant

SIB914DK-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SIB914DK-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SIB914DK-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIB914DK-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 8V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.6nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 125pF @ 4V

Puissance - Max : 3.1W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : PowerPAK® SC-75-6L Dual

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SC-75-6L Dual

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIB91 , SIB914D

Documents pour SIB914DK-T1-GE3

Feuilles de données : SIB914DK-T1-GE3.pdf

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