CSD18511Q5AT - 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

Référence fabricant

CSD18511Q5AT

Numéro de pièce interne

ABC-CSD18511Q5AT

Fabricant

T-I

Brève description

40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour CSD18511Q5AT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CSD18511Q5AT

Fabricant : T-I

La description : 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

Séries : NexFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 40V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 159A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 24A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.45V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5850pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 104W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-VSONP (5x6)

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CSD1 , CSD185

Documents pour CSD18511Q5AT

Feuilles de données : CSD18511Q5AT.pdf

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