GP1M007A090H - MOSFET N-CH 900V 7A TO220

Référence fabricant

GP1M007A090H

Numéro de pièce interne

ABC-GP1M007A090H

Fabricant

Global Power Technologies Group

Brève description

MOSFET N-CH 900V 7A TO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour GP1M007A090H

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : GP1M007A090H

Fabricant : Global Power Technologies Group

La description : MOSFET N-CH 900V 7A TO220

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 900V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1969pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 250W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : GP1M , GP1M00

Documents pour GP1M007A090H

Feuilles de données : GP1M007A090H.pdf

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