DTB123YUT106 - TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

Référence fabricant

DTB123YUT106

Numéro de pièce interne

ABC-DTB123YUT106

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DTB123YUT106

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DTB123YUT106

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de transistor : PNP - Pre-Biased

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 500mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V

Résistance - Base (R1) : 2.2 kOhms

Résistance - Base de l'émetteur (R2) : 10 kOhms

Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 56 @ 50mA, 5V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 2.5mA, 50mA

Courant - Coupure Collecteur (Max) : 500nA

Fréquence - Transition : 200MHz

Puissance - Max : 200mW

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SC-70, SOT-323

Package d'appareils du fournisseur : UMT3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DTB1 , DTB123

Documents pour DTB123YUT106

Feuilles de données : DTB123YUT106.pdf

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