SI2302ADS-T1-E3 - MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Référence fabricant

SI2302ADS-T1-E3

Numéro de pièce interne

ABC-SI2302ADS-T1-E3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI2302ADS-T1-E3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI2302ADS-T1-E3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.1A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 50µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3 (TO-236)

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI230 , SI2302A

Documents pour SI2302ADS-T1-E3

Feuilles de données : SI2302ADS-T1-E3.pdf

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