BSM180D12P3C007 - SIC POWER MODULE

Référence fabricant

BSM180D12P3C007

Numéro de pièce interne

ABC-BSM180D12P3C007

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

SIC POWER MODULE

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

59097 Pieces

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Spécifications pour BSM180D12P3C007

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSM180D12P3C007

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : SIC POWER MODULE

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 180A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.6V @ 50mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 10V

Puissance - Max : 880W

Température de fonctionnement : 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : Module

Package d'appareils du fournisseur : Module

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSM18 , BSM180D

Documents pour BSM180D12P3C007

Feuilles de données : BSM180D12P3C007.pdf

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