SQJ262EP-T1_GE3 - MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Référence fabricant

SQJ262EP-T1_GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SQJ262EP-T1_GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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1108814 Pieces

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Spécifications pour SQJ262EP-T1_GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SQJ262EP-T1_GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 15A (Tc), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V, 23nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V

Puissance - Max : 27W (Tc), 48W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : PowerPAK® SO-8 Dual

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SQJ26 , SQJ262E

Documents pour SQJ262EP-T1_GE3

Feuilles de données : SQJ262EP-T1_GE3.pdf

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