TP65H050WS - GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

Référence fabricant

TP65H050WS

Numéro de pièce interne

ABC-TP65H050WS

Fabricant

Transphorm

Brève description

GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour TP65H050WS

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TP65H050WS

Fabricant : Transphorm

La description : GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 34A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 12V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.8V @ 700µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 400V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 119W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-247-3

Paquet / caisse : TO-247-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TP6 , TP65H

Documents pour TP65H050WS

Feuilles de données : TP65H050WS.pdf

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