FQPF5P10 - MOSFET P-CH 100V 2.9A TO-220F

Référence fabricant

FQPF5P10

Numéro de pièce interne

ABC-FQPF5P10

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 100V 2.9A TO-220F

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FQPF5P10

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FQPF5P10

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 100V 2.9A TO-220F

Séries : QFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.9A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 1.45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 23W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220F

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FQ , FQPF

Documents pour FQPF5P10

Feuilles de données : FQPF5P10.pdf

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