IPP65R190E6XKSA1 - MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

Référence fabricant

IPP65R190E6XKSA1

Numéro de pièce interne

ABC-IPP65R190E6XKSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPP65R190E6XKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPP65R190E6XKSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

Séries : CoolMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20.2A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 730µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1620pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 151W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPP65 , IPP65R19

Documents pour IPP65R190E6XKSA1

Feuilles de données : IPP65R190E6XKSA1.pdf

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