DMN2011UFX-7 - MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Référence fabricant

DMN2011UFX-7

Numéro de pièce interne

ABC-DMN2011UFX-7

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMN2011UFX-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMN2011UFX-7

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2248pF @ 10V

Puissance - Max : 2.1W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 4-VFDFN Exposed Pad

Package d'appareils du fournisseur : V-DFN2050-4

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMN2 , DMN201

Documents pour DMN2011UFX-7

Feuilles de données : DMN2011UFX-7.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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