FCPF190N60 - MOSFET N-CH 600V TO-220-3

Référence fabricant

FCPF190N60

Numéro de pièce interne

ABC-FCPF190N60

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FCPF190N60

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FCPF190N60

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 600V TO-220-3

Séries : SuperFET® II

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20.2A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 199 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2950pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 39W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220F

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FCP , FCPF1

Documents pour FCPF190N60

Feuilles de données : FCPF190N60.pdf

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