SI4463CDY-T1-GE3 - MOSFET P-CHAN 2.5V SO8

Référence fabricant

SI4463CDY-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SI4463CDY-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET P-CHAN 2.5V SO8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI4463CDY-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI4463CDY-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET P-CHAN 2.5V SO8

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13.6A (Ta), 49A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 162nC @ 10V

Vgs (Max) : ±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4250pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.7W (Ta), 5W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI446 , SI4463CD

Documents pour SI4463CDY-T1-GE3

Feuilles de données : SI4463CDY-T1-GE3.pdf

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