CSD19538Q2T - MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

Référence fabricant

CSD19538Q2T

Numéro de pièce interne

ABC-CSD19538Q2T

Fabricant

T-I

Brève description

MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour CSD19538Q2T

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CSD19538Q2T

Fabricant : T-I

La description : MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

Séries : NexFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13.1A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 454pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 6-WSON (2x2)

Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CSD , CSD19

Documents pour CSD19538Q2T

Feuilles de données : CSD19538Q2T.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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