MCMN2012-TP - MOSFET N-CH 20V 12A DFN202

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MOSFET N-CH 20V 12A DFN202
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Spécifications pour MCMN2012-TP

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MCMN2012-TP
Fabricant : Micro Commercial Co
La description : MOSFET N-CH 20V 12A DFN202
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 5V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 4V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DFN2020-6J
Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : MCM , MCMN2

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