FDD107AN06LA0 - MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK

Référence fabricant

FDD107AN06LA0

Numéro de pièce interne

ABC-FDD107AN06LA0

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDD107AN06LA0

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDD107AN06LA0

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.4A (Ta), 10.9A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 91 mOhm @ 10.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.5nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 25W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252AA

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDD1 , FDD107

Documents pour FDD107AN06LA0

Feuilles de données : FDD107AN06LA0.pdf

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