JANTX2N6800U - MOSFET N-CH

Référence fabricant

JANTX2N6800U

Numéro de pièce interne

ABC-JANTX2N6800U

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

MOSFET N-CH

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

72288 Pieces

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Spécifications pour JANTX2N6800U

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : JANTX2N6800U

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : MOSFET N-CH

Séries : Military, MIL-PRF-19500/557

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 400V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 34.75nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 800mW (Ta), 25W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 18-ULCC (9.14x7.49)

Paquet / caisse : 18-CLCC

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : JANT , JANTX2

Documents pour JANTX2N6800U

Feuilles de données : JANTX2N6800U.pdf

Produits associés pour JANTX2N6800U Microsemi Corporation

Numéro d'article	Marque	La description
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