IRF200P223 - MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

Référence fabricant

IRF200P223

Numéro de pièce interne

ABC-IRF200P223

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IRF200P223

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF200P223

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

Séries : StrongIRFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 102nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5094pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 313W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-247AC

Paquet / caisse : TO-247-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF , IRF20

Documents pour IRF200P223

Feuilles de données : IRF200P223.pdf

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