SI6968BEDQ-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP

Référence fabricant

SI6968BEDQ-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SI6968BEDQ-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI6968BEDQ-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI6968BEDQ-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Puissance - Max : 1W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-TSSOP

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI696 , SI6968BE

Documents pour SI6968BEDQ-T1-GE3

Feuilles de données : SI6968BEDQ-T1-GE3.pdf

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