DMHC10H170SFJ-13 - MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12

Référence fabricant

DMHC10H170SFJ-13

Numéro de pièce interne

ABC-DMHC10H170SFJ-13

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMHC10H170SFJ-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMHC10H170SFJ-13

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.9A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.7nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1167pF @ 25V

Puissance - Max : 2.1W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 12-VDFN Exposed Pad

Package d'appareils du fournisseur : V-DFN5045-12

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMHC1 , DMHC10H1

Documents pour DMHC10H170SFJ-13

Feuilles de données : DMHC10H170SFJ-13.pdf

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