FF6MR12W2M1B11BOMA1 - MOSFET MODULE 1200V 200A

Référence fabricant

FF6MR12W2M1B11BOMA1

Numéro de pièce interne

ABC-FF6MR12W2M1B11BOMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET MODULE 1200V 200A

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FF6MR12W2M1B11BOMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FF6MR12W2M1B11BOMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET MODULE 1200V 200A

Séries : CoolSiC™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.63 mOhm @ 200A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.55V @ 10mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 496nC @ 15V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 14700pF @ 800V

Puissance - Max : 20mW (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : Module

Package d'appareils du fournisseur : AG-EASY2BM-2

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FF6MR1 , FF6MR12W2

Documents pour FF6MR12W2M1B11BOMA1

Feuilles de données : FF6MR12W2M1B11BOMA1.pdf

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