STF11N60M2-EP - MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP

Référence fabricant

STF11N60M2-EP

Numéro de pièce interne

ABC-STF11N60M2-EP

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour STF11N60M2-EP

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STF11N60M2-EP

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP

Séries : MDmesh™ M2-EP

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 595 mOhm @ 3.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.75V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 12.4nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 390pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 25W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220FP

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STF1 , STF11N

Documents pour STF11N60M2-EP

Feuilles de données : STF11N60M2-EP.pdf

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