FQU10N20TU_AM002 - MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK

Référence fabricant

FQU10N20TU_AM002

Numéro de pièce interne

ABC-FQU10N20TU_AM002

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FQU10N20TU_AM002

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FQU10N20TU_AM002

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK

Séries : QFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7.6A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 670pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 51W (Tc)

Température de fonctionnement : -

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I-PAK

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FQU10 , FQU10N20

Documents pour FQU10N20TU_AM002

Feuilles de données : FQU10N20TU_AM002.pdf

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