2SJ438,Q(J - MOSFET P-CH

Référence fabricant

2SJ438,Q(J

Numéro de pièce interne

ABC-2SJ438,Q(J

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET P-CH

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

79389 Pieces

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Spécifications pour 2SJ438,Q(J

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 2SJ438,Q(J

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET P-CH

Séries : *

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : -

La technologie : -

Drain à la tension source (Vdss) : -

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : -

Température de fonctionnement : -

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220NIS

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 2SJ , 2SJ43

Documents pour 2SJ438,Q(J

Feuilles de données : 2SJ438,Q(J.pdf

Produits associés pour 2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	Marque	La description
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