IRF6641TR1PBF - MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

Référence fabricant

IRF6641TR1PBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRF6641TR1PBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IRF6641TR1PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF6641TR1PBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.6A (Ta), 26A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59.9 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 150µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2290pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DIRECTFET™ MZ

Paquet / caisse : DirectFET™ Isometric MZ

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF6 , IRF664

Documents pour IRF6641TR1PBF

Feuilles de données : IRF6641TR1PBF.pdf

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