CDBGBSC20650-G - DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

Référence fabricant

CDBGBSC20650-G

Numéro de pièce interne

ABC-CDBGBSC20650-G

Fabricant

Comchip Technology

Brève description

DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

146200 Pieces

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Spécifications pour CDBGBSC20650-G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CDBGBSC20650-G

Fabricant : Comchip Technology

La description : DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Configuration de la diode : 1 Pair Common Cathode

Type de diode : Silicon Carbide Schottky

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 650V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : 33A (DC)

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 10A

La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 0ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 100µA @ 650V

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : TO-247-3

Package d'appareils du fournisseur : TO-247

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CDBG , CDBGBSC

Documents pour CDBGBSC20650-G

Feuilles de données : CDBGBSC20650-G.pdf

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