SUP85N03-3M6P-GE3 - MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB

Référence fabricant

SUP85N03-3M6P-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SUP85N03-3M6P-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SUP85N03-3M6P-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SUP85N03-3M6P-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 85A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3535pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.1W (Ta), 78.1W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SUP85 , SUP85N03

Documents pour SUP85N03-3M6P-GE3

Feuilles de données : SUP85N03-3M6P-GE3.pdf

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